型号代码(容量) 1)
-
MZ-VAP1T0BW (1TB)
-
MZ-VAP2T0BW (2TB)
-
MZ-VAP4T0BW (4TB)
-
MZ-VAP8T0BW (8TB)
一般特征
-
应用
客户端电脑、PlayStation ® 5
-
外形尺寸
M.2 (2280)
-
界面
PCIe ® 5.0 x4,NVMe ™ 2.0
-
尺寸(宽x 高x 深)
1TB/2TB/4TB:80.15 x 22.15 x 2.38 毫米
8TB:80.15 x 22.15 x 3.88 毫米 -
重量
1TB/2TB/4TB:最大重量9.0g
8TB:最大重量9.5g -
储存记忆体
三星V-NAND TLC
-
控制器
三星内部控制器
-
高速缓存
三星1GB 低功耗DDR4X SDRAM(1TB)
三星2GB 低功耗DDR4X SDRAM(2TB)
三星4GB 低功耗DDR4X SDRAM(4TB)
三星8GB 低功耗DDR4X SDRAM(8TB)
特色
-
TRIM 支持
支援
-
SMART 支援
支援
-
GC(垃圾收集)
自动垃圾收集演算法
-
加密支援
AES 256 位元加密(0 类) TCG/Opal
IEEE1667(加密磁碟机) -
WWN 支持
不支援
-
设备睡眠模式支持
是的
表现2)
-
顺序读取
1TB:最高14,700 MB/s
2TB:最高14,700 MB/s
4TB:最高14,800 MB/s
8TB:最高14,800 MB/s(待定) -
顺序写入
1TB:最高13,300 MB/s
2TB:最高13,400 MB/s
4TB:最高13,400 MB/s
8TB:最高13,400 MB/s(待定) -
随机读取(4KB,QD32)
1TB:最高1,850,000 IOPS
2TB:最高1,850,000 IOPS
4TB:最高2,200,000 IOPS
8TB:最高2,200,000 IOPS(待定) -
随机写入(4KB,QD32)
1TB:最高2,600,000 IOPS
2TB:最高2,600,000 IOPS
4TB:最高2,600,000 IOPS
8TB:最高2,600,000 IOPS(待定)
环境
-
平均功耗(系统级) 3)
1TB:平均7.6 W 最大7.2 W(突发模式)
2TB:平均8.1 W 最大7.9 W(突发模式)
4TB:平均9 W 最大8.2 W(突发模式) -
功耗(空闲) 3)
1TB:最大。 4 毫瓦
2TB:最大。 4.8 毫瓦
4TB:最大。 6.5 毫瓦 -
耗电量(装置休眠)
1TB:最大。 3.3 毫瓦
2TB:最大。 4 毫瓦
4TB:最大。 5.7 毫瓦 -
允许电压
3.3 V ± 5 % 允许电压
-
可靠性(MTBF)
150 万小时可靠性(MTBF)
-
工作温度
0 - 70 ℃ 工作温度
-
震惊
1,500 G & 0.5 毫秒(半正弦)
配件
-
安装套件
无法使用
软件
-
管理软体
保固单4)
-
MZ-VAP1T0BW (1TB)
5 年或600 TBW 有限保修
-
MZ-VAP2T0BW (2TB)
5 年或1200 TBW 有限保修
-
MZ-VAP4T0BW (4TB)
5 年或2400 TBW 有限保修
-
MZ-VAP8T0BW (8TB)
5 年或4800 TBW 有限保修