描述
- 采用QLC 快闪记忆
- 读取速度560MB/s，写入速度530MB/
- 采用三星V-NAND 技术，TB 等级容量，提升计算体验
- 容量8,000 GB (1 GB=1 Billion byte by IDEMA) * 一部分容量用于系统文件和维护用途，实际容量可能与产品标示不同
- 类型2.5 inch
- 介面SATA 6 Gb/s, 相容SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s 介面
- 实体规格( 宽X 长X 高) 100 X 69.85 X 6.8 (mm)
- 重量约57.0g
- NAND Samsung V-NAND 4bit MLC
- 控制晶片Samsung MKX Controller
- 快取记忆体Samsung 8 GB Low Power DDR4 SDRAM
独特功能
- TRIM Support TRIM 支援
- SMART Support SMART 支援
- 垃圾回收垃圾自动回收演算法
- 资料加密AES 256位元加密(Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (加密驱动器)
- 全球通用名称(World Wide Name) World Wide Name 支援
- 睡眠模式有
效能
- 连续读取速度最高560 MB/s 连续读取* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异
- 连续写入速度最高530 MB/s 连续写入* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异** 使用TurboWrite 技术测量效能
- 随机读取速度(4KB, QD32)最高98,000 IOPS 随机读取* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异** 使用TurboWrite 技术测量效能
- 随机写入速度(4KB, QD32)最高88,000 IOPS 随机写入* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异** 使用TurboWrite 技术测量效能
- 随机读取速度(4KB, QD1)最高11,000 IOPS 随机读取* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异** 使用TurboWrite 技术测量效能
- 随机写入速度(4KB, QD1)最高35,000 IOPS 随机写入* 效能可能因SSD 的韧体版本和系统硬体的装置而有所差异** 使用TurboWrite 技术测量效能
防护技术
- 平均功率消耗平均: 3.3 W * 最大: 5.5 W (突发模式)* 实际功耗可能因系统硬体及装置而异
- 功率消耗(闲置模式)最大45 mW * 实际功耗可能因系统硬体及装置而异
- 允许电压5V ± 5%
- 可靠性(MTBF) 150 万小时*MTBF: 平均故障间隔(平均连续无故障时间)
- 作业温度0 - 70 ℃
- 抗震1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
软件
- 管理软体管理魔术师软体
保固
- 三年或2,880TBW 有限保固